2025/12/12
冈山大学
名古屋工业大学
名古屋大学
金沢大学
庆应义塾大学
◆発表のポイント
?研究グループ独自のユニークな手法により、半导体材料の迁移金属ダイカルコゲナイド（罢惭顿颁）のデンドライトと呼ばれるナノスケールのネットワーク构造の合成に成功しました。
?単层罢惭顿颁と成长基板の界面を化学反応场とするナノリアクタを用いることで、ナノスケールのデンドライト构造の合成に成功しました。
?この手法の开発により、従来の贵金属フリーの水素発生触媒の発展に大きく寄与します。
冈山大学学術研究院環境生命自然科学学域の鈴木弘朗研究准教授と名古屋工业大学物理工学類の平田海斗助教、名古屋大学大学院工学研究科?金沢大学ナノ生命科学研究所（WPI-NanoLSI）の高橋康史教授、名古屋大学大学院工学研究科の徳永智春准教授、慶応義塾大学理工学部物理学科の藤井瞬助教、福岡工業大学の三澤賢明准教授の研究グループは、原子レベルに薄い半導体材料（遷移金属ダイカルコゲナイド、TMDC：Transition Metal Dichalcogenide）と成長基板との間に形成されるナノスケール空間を用いて、TMDCのデンドライトと呼ばれるナノスケールのネットワーク構造の合成とその水素発生（HER：Hydrogen Evolution Reaction）触媒能の実証に成功しました。この研究成果は、2025年12月4日に独国Wiley-VCH発行の学術雑誌「Small Structures」に掲載されました。
罢惭顿颁は原子3つ分の厚みの半导体特性を持つ二次元物质で、机械的柔软性に加え、优れた电気?光学特性を持つことから、电子デバイスや电気化学分野への応用が期待されています。このような原子层物质をデンドライトと呼ばれるナノスケールのネットワーク构造にすることで、电気化学机能の向上が期待できます。今回の研究では単层の罢惭顿颁ナノリボンを合成するユニークな手法を提案しました。本研究は、今后次世代ナノスケール光电子デバイスの开発やエネルギー问题の解决に大きく寄与します。
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