2019/10/29
庆应义塾大学
庆应义塾大学理工学部の安藤和也准教授らの研究グループは、次世代電子技術として期待されているスピントロニクスデバイスの性能を最大化するための設計指針を明らかにしました。
现代の电子デバイスは、电子の电気的性质を利用することで动作しています。しかし、电子は电気的性质「电荷」だけでなく、磁気的性质「スピン」も持っており、电子の电荷に加えてスピンを利用することで、高性能?低消费电力な电子デバイスを実现する新しい电子技术としてスピントロニクスがあります。スピントロニクスデバイスの机能を担うのは、磁性体（磁石）の磁化（狈极／厂极）の电気的な制御です。最近では、磁化を制御するために、デバイス内のスピン轨道相互作用を利用した手法が注目されており、この作用で生まれるトルク（スピン轨道トルク）を用いることで、高速性と不挥発性を兼ね备えた记忆素子をはじめとする様々なスピントロニクスデバイスの駆动が可能となります。
本研究グループは、このようなスピントロニクスデバイスの性能を最大化する键となるのは、デバイス内部の电子密度分布の精密な制御であることを见出しました。これにより、原子レベルでのスピントロニクスデバイス设计の重要性が初めて明らかになりました。今后、新现象に関する基础研究が进み、超高速?低消费电力のスピントロニクスデバイス开発がさらに加速されることが期待されます。
本研究成果は2019年11月2日（現地時間）に米国科学誌「Science Advances」に掲載されます。
プレスリリース全文は、以下をご覧下さい。