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慶應義塾

磁性絶縁体を用いてグラフェンのスピンの向きを制御-スピントランジスタの実现に向け前进-

公开日:2018.04.05
広报室

2018/04/05

国立研究开発法人量子科学技术研究开発机构

国立研究开発法人物质?材料研究机构

国立大学法人筑波大学

庆应义塾大学

【発表のポイント】

  • 电流が流れない絶縁性の磁性体を用いてグラフェンのスピンの向きを制御することに成功。

  • スピン偏极を制御する技术の开発により、「グラフェン」回路を用いた高速?省エネルギーの「スピントランジスタ」実现に向け前进。

国立研究开発法人量子科学技术研究开発机构(理事長 平野俊夫)量子ビーム科学研究部門の境誠司上席研究員、国立研究开発法人物质?材料研究机构(理事長 橋本和仁)先端材料解析研究拠点の山内泰NIMS特別研究員、国立大学法人筑波大学(学長 永田恭介)数理物質系の山田洋一講師、庆应义塾大学(塾長 長谷山彰)理工学部の安藤和也准教授らは、グラフェン回路を用いたスピントランジスタの実現にかかせない電子スピンの向きを制御する新技術の開発に成功しました。本成果は、今日のエレクトロニクスが抱える性能向上の限界や電力消費の問題解決に繋がるスピントロニクスの発展に向けて道を拓くものです。

スピントロニクスが次世代情报技术の主役へと発展するためには、演算デバイスの中で中心的な役割を担うスピントランジスタの実现が键になります。グラフェンは、スピンの向きを长距离に保持できる导线の材料としてスピントランジスタへの応用が注目されています。グラフェンをスピントランジスタに用いることで、演算デバイスへの応用に适した高速でエネルギー消费の少ないスピントランジスタの実现が期待されています。しかし、グラフェン回路でスピントランジスタを构成するためには、グラフェンの中を流れる电子のスピンの向きを偏らせる技术の开発が键となっていました。今回、研究チームでは、电流が流れない磁性絶縁体でグラフェンの中のスピンの向きを制御する新技术の开発に成功しました。これにより、スピントランジスタの実现に向けて前进しました。

本成果により、今后、情报机器による电力消费の着しい削减や充电の必要がない携帯端末など生活を豊かにする情报通信机器の実现が期待できます。

本成果は、Advanced Functional Materials誌のオンライン版に2018年4月4日に掲載されます。

プレスリリース全文は、以下をご覧下さい。

プレスリリース(笔顿贵)